Аннотация: Развитие технологии производства устройств телекоммуникации определило необходимость создания новой элементной базы микроустройств и устройств наноэлектроники, позволяющих реализовать преимущества интегральной технологи. Тенденция к уменьшению геометрических размеров элементов интегральных микросхем породила задачу создания электронных элементов планарной конфигурации. Рассматриваются особенности создания магнитного поля широкими полосками проводников с равномерной плотностью тока, используемых при построении интегральных схем устройств управления параметрами электронных систем телекоммуникации. Известные результаты расчета магнитных полей, создаваемых токами, ограничиваются системами тонких проводников. Это ограничивает область применимости результатов расчета областью слаботочной электроники, когда плотность тока не превышает допустимых значений, определяемых потерями на эффект Джоуля-Ленца.
Увеличение уровня мощности интегральных устройств с обеспечением допустимого уровня тепловых потерь определяет необходимость увеличения ширины полосок проводящих элементов интегральных схем и росту уровня создаваемого токами интегральных элементов магнитных полей. На основе уравнений закона Био-Савара-Лапласа получены аналитические соотношения для расчета магнитных полей, создаваемых вблизи широких полосок с равномерным распределением тока по проводнику и для широких кольцевых полосок. Полученные результаты позволяют конструировать высокотехнологичные интегральные схемы высокой мощности с высокой теплостойкостью и механической надежностью.